MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的幾個(gè)因素

作者：黑金剛電容    發(fā)布時(shí)間：2023-10-17 20:53:34  訪問(wèn)量：2178  來(lái)源：超級(jí)電容組

MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的幾個(gè)因素

最近，老高解決不少關(guān)于MOS管做開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)方面的一些問(wèn)題，尤其是有些主要做光伏產(chǎn)業(yè)電源驅(qū)動(dòng)的客戶(hù)。MOS管是其電源驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的核心部件之一，忽然覺(jué)得還是有必要總結(jié)一下MOS管發(fā)熱方面的問(wèn)題。

做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管，也就是人們常說(shuō)的MOS管。MOS管有很多種類(lèi)，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。

無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。

MOS管的工作原理

我們?cè)陂_(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。

NMOS管的開(kāi)路漏極電路

在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴(lài)兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導(dǎo)損耗。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

1、發(fā)熱情況，有電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。

2、頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3、沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高。MOS管標(biāo)稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4、MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大

這是我最近在處理MOS管發(fā)熱問(wèn)題時(shí)簡(jiǎn)單總結(jié)的。其實(shí)這些問(wèn)題也是老生常談的問(wèn)題，做開(kāi)關(guān)電源或者M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)這些知識(shí)應(yīng)該是爛熟于心，當(dāng)然有時(shí)還有其他方面的因素，主要就是以上幾種原因。

相關(guān)資訊推薦：

聚丙烯薄膜電容的溫度特性受哪些因素影響?

薄膜電容的優(yōu)缺點(diǎn)

如何有效減緩超級(jí)電容的容量衰減?

聲明：本文由櫻拓貿(mào)易收集整理關(guān)于 黑金剛電容相關(guān)的《MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的幾個(gè)因素》，如轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留鏈接:http://www.dwhyjs.cn/news_in/1238。